バイアス抵抗を変えて再測定 [ヘッドホンアンプ]
100kΩの金皮抵抗が届いたので、子基板を作り直す。せっかくなので、ICソケットを使ってオペアンプを交換できるようにしよう。回路図と基板のパターンは下図のとおり。
メイン基板との接続にパーツのリード線を流用していたが、これだとICの抜き差しのときに曲がる恐れがあるので、2.54mmのピンヘッダを切って使った。プラスチックの支えをピンの端までずらして長さを稼ぐ。1本立ちのピンは、基板の穴にはまる部分を少し潰して自立できるようにしておくといい。
子基板が丈夫に立つようになったが、ヨタらなくなったせいで、セラミックコンデンサにこすってしまう。1番ピン側を少しやすりで削って小さくした。
音はほとんど変わらないが、低音域の不足感は少し緩和されたかも。高音域は相変わらず荒れる感じでうるさい。今度のひずみ率測定は、SE-200PCIからの信号出力を1Vp-pに固定しておいて、アンプ側のボリュームで出力電圧を調整するようにしてみた。ボリュームのギャングエラーが大きいせいか、左右で出力電圧が違うが特性はあまり変わらないので、左CHのみ表示する。
100Hzのほうは充分低くなっているが、1kHzのほうがヘンな形をしている。これは周波数によって負帰還量の差が大きいのかもしれない。スペックシートによるとNJM3414ADのオープンループゲインは100dBで、GB積は1.3MHzと、あまり広くない。オペアンプを変えると違うかな?
2010-06-13 19:10
nice!(0)
コメント(0)
トラックバック(0)
コメント 0